一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结...
公开
摘要
本发明公开了一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和测试方法，所述电学测试结构形成有至少两根Fin，其中一根为非待测Fin记为Fin0，在剩下的Fin中选择至少一根为待测Fin记为Finn；Finn和Fin0平行排列，Finn与Fin0之间具有一定距离，构成第一间距；其中，n为正整数；至少一个第一连接部记为Link_A、至少一个第二连接部记为Link_B；Link_A与Finn电连接，Link_B与Fin0电连接。本发明提供的电学测试结构简单、易于制造，适用于FinFET工艺生产过程中，对Fin制造过程中产生的间距飘移（Pitch Walking）问题进行监控，可以及时发现工艺生产缺陷并有效修正半导体生产过程，提高产品的成品率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于FinFET工艺中监测Fin间距飘移的电学测试结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582837A
申请号 ：
CN202111668933.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭胜利
申请人 ：
杭州广立微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座
代理机构 ：
江苏坤象律师事务所
代理人 ：
赵新民
优先权 ：
CN202111668933.4
主分类号 ：
H01L23/544
IPC分类号 ：
H01L23/544 H01L21/66 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
