侧墙融合距离条件监测的电学测试结构及其位置选放方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供侧墙融合距离条件监测的电学测试结构,包括若干测试单元;所述测试单元包括至少一个测试组;所述测试组包括相邻预设间距的第一待测芯轴和第二待测芯轴、若干鳍;所述第一待测芯轴的左端设置有鳍部切断区,右端设有第一连接结构;所述第二待测芯轴右端设有鳍部切断区,左端设有第二连接结构。本发明的电学测试结构易于制备,能够快捷进行电学测试获取电性参数,高效地确定侧墙融合的距离条件;适用于监控Fin制造过程中的Spacer Merge的距离,利于提高工艺监控的效率,为突破侧墙融合技术的现有局限提供了解决方案。本发明还提供的位置选放方法能够高效直观的选取本发明的电学测试结构放置位置,实现对芯片不同区域的属性更有效的监控,使测试结果更加精确、全面。

基本信息
专利标题 :
侧墙融合距离条件监测的电学测试结构及其位置选放方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114373737A
申请号 :
CN202111664363.1
公开(公告)日 :
2022-04-19
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郭胜利
申请人 :
杭州广立微电子股份有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座
代理机构 :
江苏坤象律师事务所
代理人 :
赵新民
优先权 :
CN202111664363.1
主分类号 :
H01L23/544
IPC分类号 :
H01L23/544  H01L21/66  H01L29/78  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20211231
2022-04-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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