一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，本发明先利用自组装法在具有亲水性表面的Si衬底上自组装出密排的聚苯乙烯胶体球阵列，得到有序纳米图纹化结构模板；得到的有序纳米图纹化结构模板表面磁控溅射一些金膜，溅射时间为30s；金膜的直径为10～150纳米；将得到的镀有金膜的有序纳米图纹化结构模板进行倒置；最后将倒置得到的模板平行刻蚀；本发明设计并制备的纳米结构通过表面等离激元效应，增强了拉曼信号。制备成本较低，制备工艺较简单，能够有效的被大规模复制应用。
基本信息
专利标题 ：
一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293166A
申请号 ：
CN202111671310.2
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王雅新毛德源赵晓宇温嘉红刘佳孔哲张鉴张永军
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨舟涛
优先权 ：
CN202111671310.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/20 C23C14/58 G01N21/65 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
