控制芯片及其内置MOS管驱动速度控制方法
公开
摘要
本发明公开了一种控制芯片及其内置MOS管驱动速度控制方法，控制芯片设置可编程电流输入引脚，可编程电流输入引脚通过电阻连接反激变换器的输入电压，通过调整电阻的阻值，控制输入到可编程电流输入引脚的电流值，电流值随着反激变换器输入电压的增加而增加，随着输入电压的减小而减小；控制芯片内置MOS管，通过控制可编程电流输入引脚的电流来控制内置MOS管的开通和关断速度；当可编程电流输入引脚的电流增加时，内置功率MOS的开通和关断速度减慢，当可编程电流输入引脚的电流减小时，内置功率MOS管的开通和关断速度加快。本发明的MOS管的开关速度自适应反激变换器输入电压的变化，在不同输入电压下满足所需要的指标。
基本信息
专利标题 ：
控制芯片及其内置MOS管驱动速度控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337304A
申请号 ：
CN202111675793.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐盛斌
申请人 ：
苏州源特半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢524
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111675793.3
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335 H02M1/092
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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