孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置
授权
摘要
本申请涉及孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置。孔阵列层结构，用于和衬底形成成膜空间，成膜空间用于形成膜层。孔阵列层结构包括：阵列排布的多个孔单元，孔单元贯穿孔阵列层结构，孔单元具有轴向连通的第一容纳腔和第二容纳腔，第一容纳腔被配置为和衬底连接，至少一个第一容纳腔与其它第一容纳腔连通。本申请提供的孔阵列层结构能够实现第一非极性介质在不同第一容纳腔之间的串联互补，以及均匀性分布，可以保证预涂的均一性，为成膜提供较佳的成膜基础；并且在成膜阶段可以保证膜层的稳定性和串联互补。
基本信息
专利标题 ：
孔阵列层结构、芯片装置和纳米孔测序装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120931950.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-04-30
授权号 ：
CN216337555U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
张喆任世龙宋璐
申请人 ：
成都齐碳科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天府大道北段1480号1栋A座3层9号附5号
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
娜拉
优先权 ：
CN202120931950.1
主分类号 ：
C12M1/00
IPC分类号 ：
C12M1/00 C12M1/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C12
生物化学；啤酒；烈性酒；果汁酒；醋；微生物学；酶学；突变或遗传工程
C12M
酶学或微生物学装置
C12M1/00
酶学或微生物学装置
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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