一种高压全摆幅逻辑电路
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摘要
本实用新型公开了一种高压全摆幅逻辑电路，所述电路包括电压偏置电路和反相器电路,所述电压偏置电路包括高压NMOS管N1、高压PMOS管P1、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第一电阻器R1、第二电阻器R2、第一电容器C1、第二电容器C2，用于电源滤波，所述反相器电路包括高压NMOS管N2、高压NMOS管N3、高压PMOS管P2、高压PMOS管P3、第三稳压管D3、第四稳压管D4，本实用新型专利电路大幅提高了电源电压的使用范围，在MOS管源漏耐压范围内实现了输入信号的全电压摆幅，电路中的各个器件都工作在正常工作电压范围内，本实用新型电路应用成本低，电压偏置电路可以作为所有逻辑电路的公共部分，每个逻辑电路的栅极只需增加一个钳位MOS管和一个保护稳压管即可。
基本信息
专利标题 ：
一种高压全摆幅逻辑电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121337172.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-06-16
授权号 ：
CN216649665U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
张胜谭在超丁国华罗寅
申请人 ：
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
郭微
优先权 ：
CN202121337172.X
主分类号 ：
H03K19/0944
IPC分类号 ：
H03K19/0944 H03K19/20
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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