一种磁增强法拉第屏蔽结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体制造设备领域，尤其为一种磁增强法拉第屏蔽结构，包括第一固定板，所述第一固定板一侧表面固定连接有第一壳体，所述第一壳体内部设有外导体，所述外导体内部设有内导体，所述第一壳体一侧表面固定连接有法兰管，所述法兰管一端固定连接有第三固定板，所述第三固定板一侧表面固定连接有第二壳体，所述第二壳体内部固定设有外屏蔽层，所述外屏蔽层表面等距离开设有第一缝隙，本实用新型中，通过设置的永磁体，磁增强法拉第屏蔽结构可以通过屏蔽层减弱感应耦合线圈电压导致的介质窗溅射和化学腐蚀，并可以通过磁性件补偿屏蔽层导致的感应耦合线圈功率耦合效率降低。
基本信息
专利标题 ：
一种磁增强法拉第屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122079832.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-31
授权号 ：
CN216563009U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
李冰妍
申请人 ：
富时精工（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区苏源大道19号九龙湖国际企业总部园B5座二层(江宁开发区)
代理机构 ：
滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
史芳
优先权 ：
CN202122079832.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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