一种集成电路、耗材芯片及MCU芯片
授权
摘要
本申请实施例提供一种集成电路、耗材芯片及MCU芯片，包括半导体衬底，半导体衬底包括第一区域、第二区域和深阱；深阱设置在半导体衬底中，并且延伸至半导体衬底表面，深阱围绕第一区域。第一区域包括第一掺杂区，第二区域包括第二掺杂区；第一掺杂区与信号地、电源地中的一者电连接，第二掺杂区与信号地、电源地中的另一者电连接。在本申请中，信号地与电源地设置在半导体衬底被深阱隔离的不同区域中，不仅隔离了信号地与电源地的电位，而且避免了信号地与电源地之间的信号串扰。
基本信息
专利标题 ：
一种集成电路、耗材芯片及MCU芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122357913.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
CN216213430U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
王雄伟康泽华张虚谷
申请人 ：
珠海极海半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市横琴新区宝华路6号105室-68710(集中办公区)
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
焦志刚
优先权 ：
CN202122357913.7
主分类号 ：
H01L23/50
IPC分类号 ：
H01L23/50 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/50
用于集成电路器件的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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