一种基于石墨烯的远红外辐射发热芯片
授权
摘要
本实用新型涉及一种基于石墨烯的远红外辐射发热芯片，所述远红外辐射发热芯片具有多层结构，该多层结构包括：第一绝缘阻燃基材(1)和第二绝缘阻燃基材(5)、发热层(2)、铜银复合电极(3)以及热熔复合材料层(4)。该远红外辐射发热芯片的电‑热辐射转换效率高、温度均匀、功率基本零衰减、耐热耐燃，解决了现有技术中功率衰减、使用寿命短、发热膜不耐温耐热耐燃的问题，杜绝了安全事故的发生。
基本信息
专利标题 ：
一种基于石墨烯的远红外辐射发热芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122457945.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-12
授权号 ：
CN216217609U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
孙金梅
申请人 ：
北京旭碳新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司
申请人地址 ：
北京市丰台区四合庄路2号院4号楼1至17层101内10层1010
代理机构 ：
北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邹宇宁
优先权 ：
CN202122457945.4
主分类号 ：
H05B3/20
IPC分类号 ：
H05B3/20 H05B3/02
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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