一种平面接触式平台改善装置
授权
摘要
本实用新型揭示了一种平面接触式平台改善装置，该装置包括旋转平台、限位柱和旋转轴，旋转轴贯穿设置于所述旋转平台的中部，旋转平台为阶梯镂空式旋转平台，旋转平台为倒U型，限位柱包括第一限位柱和第二限位柱，第一限位柱和第二限位柱设置在旋转平台的左右两边，该装置还包括第一阶梯、第二阶梯、第三阶梯和第四阶梯，第一阶梯和第二阶梯具有高度差。本技术方案采用镂空式平台与现有的接触式平台相比：1.减少了晶圆与载具的直接接触，降低了晶圆破片和暗裂的几率；2.尺寸限位，减少晶圆在平台上的活动空间，稳定性高；3.旋转式平台，材料与治具一体化移动，避免了人员移动操作时，晶圆与平台摩擦导致刮伤的风险。
基本信息
专利标题 ：
一种平面接触式平台改善装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122485263.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
CN216597543U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
陈育仁刘凌翔秦锦峰
申请人 ：
矽品科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区凤里街288号
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
蒋慧妮
优先权 ：
CN202122485263.4
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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