电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构
授权
摘要
本实用新型提供的电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构，包括一主动发光层设置于为P型半导体的一第一布拉格反射镜层和为N型半导体的一第二布拉格反射镜层之间；该主动发光层包括一多重量子井空间层设置于一P型空间层和一N型空间层之间；为P型半导体的一电流引导层设置于该第一布拉格反射镜层背离该主动发光层的一侧；一金属接触层设置于该电流引导层背离该主动发光层的一侧；一基板层设置于该第二布拉格反射镜层背离该主动发光层的一侧；该电流引导层的掺杂浓度于该电流引导层接触该金属接触层的一侧的一中心点浓度最高；本实用新型使一电流向该中心点集中，以增加产生的光通量。
基本信息
专利标题 ：
电流局限式垂直共振腔面射型镭射结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122578686.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
CN216214798U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
洪崇瑜林昱成
申请人 ：
先发电光股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾苗栗县
代理机构 ：
北京寰华知识产权代理有限公司
代理人 ：
何尤玉
优先权 ：
CN202122578686.0
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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