一种垂直面射型的激光结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种垂直面射型的激光结构，该垂直面射型的激光结构中，将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸，氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸，进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直面射型的激光结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920729861.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-21
授权号 ：
CN209516312U
授权日 ：
2019-10-18
发明人 ：
彭钰仁
申请人 ：
厦门乾照半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宝筠
优先权 ：
CN201920729861.1
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/187
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法律状态
2019-10-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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