一种单晶炉泄漏提醒引流装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉泄漏提醒引流装置,包括单晶炉体、石墨埚、石墨埚托、石墨托杆和顶盖,单晶炉体包括晶炉内壁,晶炉内壁外设置有一隔热层,隔热层的外壁设置有防爆层,且在晶炉内壁的下底面设置有倾斜块,石墨托杆贯穿而过倾斜块,石墨托杆内部设置有转轴,转轴连接有电机,电机设置在石墨托杆下端面;倾斜块的低平面设置有硅液盛接石墨凹槽,硅液盛接石墨凹槽中设置有石墨棒,石墨棒连接有控制器和报警器,控制器连接有报警器和电机,硅液盛接石墨凹槽外接有收集器,收集器连接有控制器。本实用新型其设计合理,有利于提供结构简单,降低安装泄漏提醒装置的难度,便于生产制作,也有利于更加精准的进行提醒,提高使用的安全性。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉泄漏提醒引流装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122610324.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-10-28
授权号 :
CN216192871U
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
倪建刚
申请人 :
浙江浩祥精密机械制造有限公司
申请人地址 :
浙江省湖州市德清县钟管镇振兴南路57号
代理机构 :
浙江新篇律师事务所
代理人 :
李旻
优先权 :
CN202122610324.5
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B15/30  C30B15/20  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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