一种锗单晶炉用防泄漏引流装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种锗单晶炉用防泄漏引流装置，包括外置炉框、内炉体和引流气囊。本实用新型锗单晶炉用防泄漏引流装置，当外置炉框内部的气压过高时，气体通过进气口进入到外管框中并对密封垫进行挤压，密封垫在挤压的过程中，密封垫中心的通气孔扩张变大，气体通过通气孔后进入到气囊本体中，气体通过排气总管进入到排出管与回流管内，转动排出管上的梅花钮，安插柱从阀门框体内向外移出，气体通过透气孔后向外排出，同理转动回流管上的梅花钮，气体沿着回流管重新回到外置炉框内部，该装置能够在锗单晶炉内部气压过大时，主动对锗单晶炉内部进行气压的引流并收集，保持锗单晶炉内部气压的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种锗单晶炉用防泄漏引流装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123142758.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
CN216427479U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
吕远芳
申请人 ：
保定三晶电子材料有限公司
申请人地址 ：
河北省保定市顺平县平安西街北侧（277号）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123142758.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/08 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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