一种锗单晶炉泄露引流装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种锗单晶炉泄露引流装置，包括锗单晶炉组件和引流组件，硅蒸汽在弧形的晶炉顶盖上凝集后形成硅液顺着晶炉内壁向下流淌，在重力的影响下从引流通道流入集合箱，减少落入炉底板的硅液量，集合箱之间通过引流通道连通，容量大，引流组件的顶部与晶炉本体的顶部平齐，可以更早的避免因漏硅而造成的热场损失，减少硅料损耗，高温的硅液流动到蜂窝线网槽时将蜂窝线网槽的表面基线熔断，使得感应单刀双掷开关失去基线路端的电流感应，从而由原先的基线路端自动转换到警报组件的线路端上，感应单刀双掷开关与电源连通，感应单刀双掷开关与警报组件相接后启动警报组件，蜂鸣器响起配合警报灯闪烁，提醒工作人员及时维修。
基本信息
专利标题 ：
一种锗单晶炉泄露引流装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920657199.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-07
授权号 ：
CN210001959U
授权日 ：
2020-01-31
发明人 ：
吕远芳
申请人 ：
保定三晶电子材料有限公司
申请人地址 ：
河北省保定市顺平县平安西街北侧（277号）
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920657199.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-01-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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