一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉
公开
摘要
本发明提供一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉,该单晶炉泄漏引流装置包括:设置于坩埚的底部的防漏盘,包括盘底面和围绕盘底面四周边缘设置的防漏边沿,盘底面和防漏边沿围设形成容置腔;连接在防漏盘的中部的筒状管,筒状管包括中空的内管和外管,内管和外管之间形成空腔,筒状管包括相对的第一端和第二端,第一端连接于盘底面的中部,空腔在第一端开口,形成与防漏盘的容置腔相通的进液口,筒状管上设有排液口;轴承套,坩埚轴穿设于内管内,轴承套连接在内管与坩埚轴之间。本发明提供的单晶炉泄漏引流装置及单晶炉,能够避免硅溶液侵蚀破坏其他热场部件,提高设备应对溢流风险的能力,减少安全隐患甚至事故的发生,减少损失,提高设备的稼动率。
基本信息
专利标题 :
一种单晶炉泄漏引流装置及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381798A
申请号 :
CN202011124772.8
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2020-10-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨文武沈福哲
申请人 :
西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
许静
优先权 :
CN202011124772.8
主分类号 :
C30B15/10
IPC分类号 :
C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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