一种用于制作SAW滤波器的IDT电极的中间结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于制作SAW滤波器的IDT电极的中间结构，包括由下至上按序设置的压电衬底、第一光阻层、硬化层和第二光阻层；第一光阻层具有用于形成IDT图形的第一窗口，第一窗口的侧壁由下至上向外倾斜；硬化层设于第一光阻层顶部表面；第二光阻层具有对应位于第一窗口上方的第二窗口，第二窗口的至少部分区域宽度小于第一窗口的至少部分区域宽度。本实用新型避免了单层较厚的光阻层侧壁倾斜程度大导致沉积的IDT金属图形的侧壁偏离预设形状的问题，最终得到更为理想的IDT金属结构，使得到的SAW滤波器的性能更为稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种用于制作SAW滤波器的IDT电极的中间结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122615318.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
CN216437163U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
朱庆芳
申请人 ：
泉州市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202122615318.9
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/64
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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