一种铜电极结构及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种铜电极结构及其制作方法，结构包括带有TSV深孔的基底，所述TSV深孔中具有铜填充柱，所述铜填充柱和基底的接触界面具有氧化物隔离层，所述基底的第一侧通过胶层键合在基板上，所述铜填充柱凸出于所述基底，所述基底第二侧覆盖有PI绝缘胶层，所述PI绝缘胶层上覆盖有PI光刻胶层，所述PI光刻胶层具有显露所述铜填充柱的显影区域，所述显影区域形成有镀铜电极，所述镀铜电极上形成有金属凸块。该方案获得PI绝缘胶层，有效的避免应力破裂并形成良好的侧壁覆盖形态，工艺过程显著降低成本并提高良率。
基本信息
专利标题 ：
一种铜电极结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446864A
申请号 ：
CN202011191551.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘远杰周祖源薛兴涛
申请人 ：
盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202011191551.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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