降低边抛液灼伤硅片的下载篮
授权
摘要
本实用新型降低边抛液灼伤硅片的下载篮，包括设置于下载位的下载槽内的下载篮主体，下载篮主体包括篮体，对应篮体的下端设置有鼓泡组件，硅片边抛后置入下载篮主体，鼓泡组件进行鼓泡，带动下载槽的纯水进行翻滚和溢流，带走硅片表面残留抛光液，形成避免抛光液在清洗前长时间滞留硅片表面灼伤硅片的防硅片表面灼伤加工结构。
基本信息
专利标题 ：
降低边抛液灼伤硅片的下载篮
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122716740.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
CN216749831U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
陈良臻沈俊熙王维师王彦君孙晨光曹锦伟
申请人 ：
中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
代理机构 ：
北京鑫知翼知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张云珠
优先权 ：
CN202122716740.3
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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