PECVD镀膜变节距矫正机构
授权
摘要
本实用新型公开了PECVD镀膜变节距矫正机构，包括固定板，固定板的底部设置有缓存装置，缓存装置包含两个第一气缸、两个连接块、四个第一滑块、四个第一导轨、两个定位块和多个分节距，固定板的一边侧设置有推片装置，两个分节距之间设置有硅片，推片装置包含连接板、两个第二导轨、两个第二滑块、推板和第二气缸，第二滑块与第二导轨的外壁滑动连接，第二气缸的输出杆与推板的一边侧固定连接。实用新型利缓存装置与推片装置相配合的设置方式，便于对两个定位块进行位置滑动，使硅片的两侧能整齐的位于在分节距之间，通过第二气缸，便于对硅片的一边侧进行矫正，使硅片能稳定位于分节距之间，使硅片的传输更加稳定。
基本信息
专利标题 ：
PECVD镀膜变节距矫正机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122728070.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
CN216514121U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
徐雷达
申请人 ：
江苏创生源智能装备股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市泗洪县经济开发区双洋西路12号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122728070.7
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/511 C23C16/505 C23C16/54 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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