基板匹配电路、射频功率放大器及射频芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种基板匹配电路，包括发射匹配电路、分别与发射匹配电路连接的第一接收匹配电路和第二接收匹配电路，其中，第一接收匹配电路适配功率放大信号发射端与第一接收信号端的隔离度；第二接收匹配电路适配功率放大信号发射端与第二接收信号端的隔离度，且功率放大信号发射信号经基板在滤波的同时增强功率放大信号与接收信号隔离度，使信号在发射与接收时在基板匹配电路中滤波效果、损耗、隔离度达到一个平衡，可靠性更优。本实用新型还提供一种射频功率放大器及射频芯片。与相关技术相比，本实用新型的基板匹配电路、射频功率放大器及射频芯片传输适配性好，体积小，生产成本低。
基本信息
专利标题 ：
基板匹配电路、射频功率放大器及射频芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122838800.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
CN216437156U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
于卫东郭嘉帅
申请人 ：
深圳飞骧科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区南光路286号水木一方大厦1栋1601
代理机构 ：
深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘伟
优先权 ：
CN202122838800.9
主分类号 ：
H03F1/02
IPC分类号 ：
H03F1/02 H03F1/56 H03H7/01 H03H7/38
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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