一种NAND闪存可靠性等级检测装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种NAND闪存可靠性等级检测装置，包括设备主体，所述设备主体的上端对称安装有两个连接结构，两个所述连接结构上均转动安装有一个防护挡板，所述设备主体的上端安装有安装结构，所述安装结构上安装有一个固定结构，所述固定结构包含基板、固定卡板以及推动弹簧，所述固定卡板有两个且对称安装在基板的内端，所述推动弹簧有两个且对称安装在基板的外端。本实用新型所述的一种NAND闪存可靠性等级检测装置，属于检测装置领域，通过设置防护挡板，可以对检测插槽进行保护，从而降低该装置在不使用时灰尘和杂物落入到检测插槽内的几率，进而降低灰尘和杂物对NAND闪存检测的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种NAND闪存可靠性等级检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122984751.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
CN216311350U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
高影刘晓志庞海清
申请人 ：
深圳市泉彗达科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道粤兴三道2号深圳虚拟大学园院校产业化综合大楼B505
代理机构 ：
深圳驿航知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨伦
优先权 ：
CN202122984751.X
主分类号 ：
G11C29/56
IPC分类号 ：
G11C29/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置，例如：用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置，例如，自动测试设备；所用接口
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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