纳米颗粒-超材料正弦光栅多尺度近场耦合的SERS基底
授权
摘要
本实用新型涉及一种纳米颗粒‑超材料正弦光栅多尺度近场耦合的SERS基底，其结构包括SiO2基层、位于所述SiO2基层上表面的超材料正弦光栅以及附着在所述超材料正弦光栅上表面的贵金属纳米颗粒层；所述超材料正弦光栅包括附着SiO2基层上并形成正弦光栅图案的光刻胶衬层以及沉积在所述光刻胶衬层表面的金属‑电介质多层微纳结构；所述金属‑电介质多层微纳结构是由贵金属膜层与沉积在所述贵金属膜层上的电介质膜层构成复合基层，若干复合基层相叠，即形成金属‑电介质多层微纳结构。本实用新型灵敏度高，加工简便，一致性好，稳定性强，加工难度低，特别适合用于便携识别空气中存在的痕量弹药等爆炸物的类型、品种及其“拉曼指纹”。
基本信息
专利标题 ：
纳米颗粒-超材料正弦光栅多尺度近场耦合的SERS基底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122992046.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
CN216594781U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
陈志斌陈赵懿秦梦泽薛明晰王正军
申请人 ：
中国人民解放军32181部队
申请人地址 ：
河北省石家庄市北新街169号
代理机构 ：
石家庄国域专利商标事务所有限公司
代理人 ：
苏艳肃
优先权 ：
CN202122992046.4
主分类号 ：
G01N21/65
IPC分类号 ：
G01N21/65 G01N21/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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