一种单晶产品加工用CVD真空炉的导流筒结构
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摘要
本实用新型公开了一种单晶产品加工用CVD真空炉的导流筒结构，包括导流筒结构，所述导流筒结构包括外筒和内筒，所述外筒的底部设有内支撑环，所述内筒放置在外筒内且两者之间形成内腔，所述内筒的底部与内支撑环的上端相抵，所述内筒的外部固定连接有外支撑环，所述外支撑环与外筒相抵，所述外筒和内筒之间设有连接机构，所述连接机构包括固定在外筒上端的L型块，所述外支撑环上固定连接有连接块，所述连接块上下贯穿设有通孔，所述L型块的上端贯穿设有螺纹槽，所述螺纹槽内螺纹连接有螺栓，所述螺栓与通孔相匹配。本实用新型不仅可以保证内筒和外筒稳定的连接在一起，且结构简单安装拆卸方便，同时，可以保证保温材料的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶产品加工用CVD真空炉的导流筒结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123107424.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
CN216639706U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李建林李明柱薛腾飞高春红王红敏李根杨玉霞
申请人 ：
河南飞孟金刚石股份有限公司
申请人地址 ：
河南省焦作市孟州市城伯镇前姚村
代理机构 ：
焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨东
优先权 ：
CN202123107424.2
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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