一种具有缓冲结构的SIM卡托
授权
摘要
本实用新型提供一种结构设计新颖的具有缓冲结构的SIM卡托，包括止挡部，所述止挡部的一侧固定连接有卡托盘，且卡托盘的顶部一侧开有托槽，所述托槽的一侧内壁开有第一缓冲槽，且第一缓冲槽的内壁设置有第一缓冲件，所述卡托盘的一端开有第二缓冲槽，且第二缓冲槽的内部插接有第二缓冲座，所述卡托盘的顶部一侧开有横槽，且横槽的一侧内壁两端均与第二缓冲槽的一侧内壁两端之间均开有通孔，第二缓冲座的一侧两端均固定连接有穿过通孔的推进杆。本实用新型便于对SIM卡进行夹持固定，可实现夹持保护的效果，调节V型架的角度，使得第三缓冲座逐渐靠近于第一缓冲座，一方面可充分的对SIM卡进行固定，另一方面可有效的对SIM卡进行缓冲。
基本信息
专利标题 ：
一种具有缓冲结构的SIM卡托
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123165592.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
CN216699992U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
曹丙阳温兵
申请人 ：
深圳市精而美科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道碧头三工业大道3号厂房A、B、C栋
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123165592.7
主分类号 ：
H04B1/3816
IPC分类号 ：
H04B1/3816 F16F15/08
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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