一种接头组件、过渡腔体及镀膜设备
授权
摘要

本实用新型提供一种接头组件、过渡腔体及镀膜设备,涉及化学气相沉积技术领域。接头组件包括进气接头和耗散单元,进气接头的出气端与耗散单元相连;耗散单元内设有至少一个耗散腔,耗散腔的内壁具有进气侧和出气侧,进气侧开设有进气孔,出气侧开设有出气孔,且出气孔与进气孔错位设置。回填气体进入进气接头后,通过进气孔进入耗散腔。由于出气孔与进气孔错位设置,故进入耗散腔的气流无法直接从出气孔排出,而是先冲击在出气侧,形成紊流。此时,气流的能量在耗散腔内消耗,耗散腔内的气压高于耗散单元外部,从而降低回填气体的冲击力,有效地减少扬尘,提高晶圆的表面质量,同时防止晶圆被吹起,进而避免晶圆掉落和磕伤。

基本信息
专利标题 :
一种接头组件、过渡腔体及镀膜设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123303087.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
CN216550688U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
刘亮辉肖蕴章经军辉徐鑫黄帅帅刘佳明陈炳安钟国仿
申请人 :
深圳市纳设智能装备有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A6栋1B
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
贾耀斌
优先权 :
CN202123303087.4
主分类号 :
C23C16/44
IPC分类号 :
C23C16/44  C23C16/455  C23C16/18  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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