一种调温基座系统
授权
摘要
本实用新型提供一种调温基座系统，包括：第一基座、第二基座、空腔及加热部件，其中，第一基座包括相对设置的顶面与底面，第一基座的顶面设置有用于承载衬底的凹槽；第二基座位于第一基座下方承载并加热第一基座，第二基座包括相对设置的顶面与底面；空腔位于第一基座与第二基座之间；加热部件用于加热第二基座；并且，第一基座的底面与第二基座的顶面至少其一设置有用于调控温度的凹进部或凸出部。本实用新型采用调温式基座，根据基座温度分布特征，对第一基座底面及第二基座顶面进行相应的凹凸结构设置，通过凹凸结构的设置方式调整第一基座中心与边缘的热传导距离，使得第一基座径向温度均匀分布，其可控制在±0.5摄氏度温差。
基本信息
专利标题 ：
一种调温基座系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123422373.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216648242U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
徐春阳郑冬刘雷
申请人 ：
楚赟精工科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路665号三层
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202123422373.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687 H01J37/32 H05B6/10 H05B6/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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