用于电子迁移评估的方法及设备
实质审查的生效
摘要
本公开涉及用于电子迁移评估的方法及设备。本公开提供一种用于测试半导体装置的方法及设备。所述方法包含：在集成电路设计布局中提供作用区；将所述作用区分组成第一区及第二区；计算所述作用区的所述第一区的第一自热温度；计算所述作用区的所述第二区的第二自热温度；及基于所述第一自热温度及所述第二自热温度来确定电子迁移EM评估。
基本信息
专利标题 ：
用于电子迁移评估的方法及设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512417A
申请号 ：
CN202210001581.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盂曾贤陈蔚铭
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李春秀
优先权 ：
CN202210001581.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 G06F30/392 G06F30/398
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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