一种应力迁移的可靠性评估方法、装置及系统
授权
摘要
本申请实施例提供一种应力迁移的可靠性评估方法、装置及系统，应用于半导体样品中的金属连线，其中，所述应力迁移可靠性评估方法包括：获取所述半导体样品在实际使用温度下的第一可靠性时间；根据所述第一可靠性时间，确定所述半导体样品在测试温度下的第二可靠性时间；对所述半导体样品进行应力迁移测试，以确定出所述半导体样品在所述测试温度和所述第二可靠性时间下的失效结果；通过所述失效结果，评估所述金属连线的应力迁移的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种应力迁移的可靠性评估方法、装置及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113327864A
申请号 ：
CN202110469024.1
公开（公告）日 ：
2021-08-31
申请日 ：
2021-04-28
授权号 ：
CN113327864B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
欧阳艳杨素慧王志强杨盛玮
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘恋
优先权 ：
CN202110469024.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210428
申请日 : 20210428
2021-08-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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