用于设计半导体器件的方法及用于评估其可靠性的方法
专利权的终止
摘要
半导体器件(100)具有如下构造，该构造具有在第一互连(112)上形成的通路(124)。用于设计半导体器件(100)的方法包括：假设空洞(150)在铜互连(互连金属膜110)中从源头开始成长，计算在预定的温度下、在确保应力引发空洞(SIV)的时间topen内扩展的空洞(150)的成长区域的尺寸的预期值xopen；并且通过比较第一互连(112)和通路(124)之间的接触区域的尺寸与预期值xopen来确定通路(124)的几何因数。接触区域的尺寸可以表示为d+h，其中d表示通路(124)的直径，并且h表示通路(124)埋入在第一互连(112)之中的埋入深度。
基本信息
专利标题 ：
用于设计半导体器件的方法及用于评估其可靠性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819141A
申请号 ：
CN200610003660.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤聪
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
穆德骏
优先权 ：
CN200610003660.0
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2015-03-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101600530541
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100036600
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20140109
号牌文件序号 : 101600530541
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100036600
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20140109
2010-12-29 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057786750
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100036600
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101057786750
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100036600
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2009-07-29 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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