本发明涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种功率半导体器件封装烧结评估方法，其中，包括：准备待评估样品，其中所述待评估样品包括金属层和依次设置在所述金属层上的焊料层和芯片；对所述待评估样品进行烧结，得到烧结后样品；根据形貌分析工具对所述烧结后样品进行形貌分析；根据成分分析工具对所述形貌分析后的烧结样品进行成分分析，得到成分分析结果；根据所述成分分析结果得到所述待评估样品的评估结果。本发明提供的功率半导体器件封装烧结评估方法实现了从微观和宏观两方面对烧结工艺的可靠性进行评估，能够确保最终的烧结结果的可靠性。