一种用于功率器件封装的烧结设备
授权
摘要
本实用新型涉及功率半导体器件制造技术领域，具体提供一种用于功率器件封装的烧结设备，包括：第一承靠座、与所述第一承靠座相对设置的第二承靠座、用于密封所述第一承靠座和所述第二承靠座的烧结腔体；所述第一承靠座和所述第二承靠座可彼此相对地往复移动；所述烧结腔体包括包围所述第一承靠座并且固定设置的第一腔体结构，以及包围所述第二承靠座设置并且随所述第二承靠座往复移动的第二腔体结构；所述第一承靠座上具有固定结构，所述固定结构为从四周包围待烧结器件并且与待烧结器件等高或者低于所述待烧结器件高度的弹性定位环。根据本实用新型的烧结设备，结构简单，保证功率器件的位置稳定，保证成品率，提升烧结效率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于功率器件封装的烧结设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021702799.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN212874440U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
刘旭叶怀宇田天成张国旗
申请人 ：
深圳第三代半导体研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区观光路1310号
代理机构 ：
北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘敦枫
优先权 ：
CN202021702799.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
