本发明属于带隙基准源技术领域，具体涉及一种低失配高精度基准电压源。本发明最大的创新点是将晶体管Q1和Q2的基极相连，并且Q1基极与集电极相连构成BJT电流镜，基极同时与电阻R2相连，这样不仅将PTAT电流I3精确镜像到I1，而且还得到了一个CTAT电流I2，两者结合得到一个零温度系数电流。因为在电流很小时，BJT电流镜的失配远小于MOS电流镜，因此可以在较低的电流下实现低失配，与传统结构相比有效地降低了基准源的失配和功耗。该发明将晶体管Q2和Q3的基极相连，同时Q2发射极与电阻R3相连，所以电阻R3上的压降精确地等于Q2和Q3的Vbe之差，产生一个高精度的PTAT电流I3，因此与传统结构相比，降低了运算放大器OP1的要求，而且极大地提高了带隙基准源的精度。