控制PCRAM装置的方法及执行该方法的控制器
公开
摘要
本发明实施例涉及控制PCRAM装置的方法及执行该方法的控制器。本发明各种实施例提供用于配置相变随机存取存储器PCRAM结构、例如在单级单元SLC模式或多级单元MLC模式中操作的PCRAM的方法。本发明各种实施例可支持PCRAM结构在SLC模式中操作以达成较低功率且在MLC模式中操作以达成较低可变性。本发明各种实施例可至少部分地基于神经网络层的容错度而支持PCRAM结构在SLC模式或MLC模式中操作。
基本信息
专利标题 ：
控制PCRAM装置的方法及执行该方法的控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114550790A
申请号 ：
CN202210022141.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯文升K·阿卡尔瓦达尔陈佑升
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李春秀
优先权 ：
CN202210022141.8
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C8/08 G11C7/12 G06N3/08 G06N3/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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