一种P+硅边柱SOI工艺抗辐照NMOS器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种P+硅边柱SOI工艺抗辐照NMOS器件，包括NMOS器件栅端、源端、漏端、体区和P+硅边柱。所述P+硅边柱SOI工艺抗辐照NMOS器件，通过改变原本NMOS器件的边墙绝缘体隔离层为P+型掺杂硅的边柱结构。采用P+型掺杂的边柱结构可有效降低辐照总剂量效应下NMOS器件因辐照效应产生的沟道漏电流。采用本发明可以在兼容主流SOI工艺情况下，有效解决边墙寄生晶体管和衬底寄生晶体管在辐照条件下引起的漏电流问题，此外与现有传统抗辐照器件相比，宽长比设计不受限制，并具有较小面积、高集成度等特性。
基本信息
专利标题 ：
一种P+硅边柱SOI工艺抗辐照NMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334914A
申请号 ：
CN202210025628.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田密朱伟强韩婷婷闫娜邹腾浩毕津顺
申请人 ：
中国航天科工集团八五一一研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区建衡路99号
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
朱沉雁
优先权 ：
CN202210025628.1
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L29/06 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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