一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元
授权
摘要
本实用新型是一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元，包括基于FinFET工艺构成的DICE抗辐照单元，所述DICE抗辐照单元包括读字线RWL和写字线WL，所述读字线RWL和写字线WL连接至相应电平，以控制PMOS传输管开关，分开读写操作。本实用新型的抗辐照单元能提高抗辐照效果，并能提高读稳定性，消除由于小尺寸上拉管工艺偏差造成的写失败问题。
基本信息
专利标题 ：
一种基于FinFET工艺SRAM抗辐照单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020235667.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-02
授权号 ：
CN211045046U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
张曼张立军张一平马亚奇
申请人 ：
苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
曹毅
优先权 ：
CN202020235667.0
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412 G11C11/417
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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