一种14T抗辐照SRAM存储单元电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种14T抗辐照SRAM存储单元电路，包括8个NMOS晶体管和6个PMOS晶体管；PMOS晶体管P5和NMOS晶体管N3构成第一个反向器，PMOS晶体管P6和NMOS晶体管N4构成第二个反向器，这两个反向器交叉耦合；N1与N2对内部存储节点QB与Q进行加固，Q与QB全部由NMOS晶体管包围，这构成了极性加固结构；外围节点S0与S1由P1和P2交叉耦合，N5与N6作为下拉管；QB与Q通过N7与N8连接到BLB和BL，N7的栅极和N8的栅极均与字线WL电连接。本发明可以提高单元抗单粒子翻转能力，能够抵抗所有的单节点翻转，还可以抵抗外围存储双节点翻转，而且单元的临界电荷相对较高，单元更加稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种14T抗辐照SRAM存储单元电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496021A
申请号 ：
CN202210068745.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郝礼才刘新宇彭春雨赵强卢文娟高珊蔺智挺吴秀龙陈军宁
申请人 ：
安徽大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
代理机构 ：
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立明
优先权 ：
CN202210068745.6
主分类号 ：
G11C11/411
IPC分类号 ：
G11C11/411 G11C11/413
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/411
只使用双极晶体管的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/411
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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