一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法，用于解决现有星载计算机PROM程序区单比特数据错误的问题，降低空间环境单粒子翻转的风险，提高产品的可靠性。包括集成有EDAC纠检错功能的处理器、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区；其中，SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM，PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM；处理器的数据总线接用于存储程序的PROM，处理器的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM。
基本信息
专利标题 ：
一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114385410A
申请号 ：
CN202210033978.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
全勇涛路海全刘曙蓉杨文清贾可辉贾森刘秀娜曲翕
申请人 ：
西安微电子技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路198号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
张宇鸽
优先权 ：
CN202210033978.2
主分类号 ：
G06F11/10
IPC分类号 ：
G06F11/10 G06F11/07
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F11/00
错误检测；错误校正；监控
G06F11/07
响应错误的产生，例如，容错
G06F11/08
用数据表示中的冗余码作错误检测或校正，例如，应用校验码
G06F11/10
对编码信息添加特定的码或符号，例如，奇偶校验、除9或除11校验
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 11/10
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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