一种基于模态局部化效应的MEMS电流传感器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于模态局部化效应的MEMS电流传感器,属于传感器领域。该传感器基于二自由度弱耦合谐振系统的模态局部化效应和采样电阻法,通过检测弱耦合谐振系统的幅值比来敏感外界电流信号。其主要结构包括:弱耦合谐振系统、采样电阻及电极部分。所述采样电阻在待测电流I流入后,获得一相应电压V,所述电压V经电连接,在弱耦合谐振系统的等效谐振器一101相应的电容板上得到一等势电压V,从而使得等效谐振器一101获得输入刚度扰动Δk。本发明通过一个采样电阻对电流进行敏感,并通过淀积和离子注入工艺控制采样电阻阻值。基于模态局部化效应的MEMS电流传感器不仅具备极高的测量精度,而且具有较大的动态范围。相比于其他MEMS电流传感器,本发明能够实现大动态范围下对微弱电流的高精度测量。
基本信息
专利标题 :
一种基于模态局部化效应的MEMS电流传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114441831A
申请号 :
CN202210034011.6
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
常洪龙李涵郝永存
申请人 :
西北工业大学
申请人地址 :
陕西省西安市友谊西路127号
代理机构 :
西北工业大学专利中心
代理人 :
吕湘连
优先权 :
CN202210034011.6
主分类号 :
G01R19/00
IPC分类号 :
G01R19/00 G01R15/08 G01R15/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 19/00
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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