一种测量深槽电容寄生电阻的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种测量深槽电容寄生电阻的方法，包括如下步骤：步骤S1，在深槽电容的正端电极的两侧对称开窗形成第一测试点(P1)和第二测试点(P2)，在所述深槽电容的GND电极上开窗形成接地测试点(GND)；步骤S2，通过第一测试点(P1)、第二测试点(P2)、接地测试点(GND)连接测试设备和所述深槽电容，测量所述深槽电容的S参数，记录测试结果；步骤S3，根据电路理论，进行S参数到Z参数的变换，得到所述深槽电容的Z参数，从而获得所述深槽电容寄生电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种测量深槽电容寄生电阻的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388381A
申请号 ：
CN202210038403.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范象泉
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210038403.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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