二极管的表面损坏控制
实质审查的生效
摘要
本公开总体涉及二极管的表面损坏控制。公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底内的第一阱区域、设置为与第一阱区域相邻并且在衬底内的第二阱区域、以及设置在第一阱区域内的阱区域阵列。第一阱区域包括第一类型掺杂剂，第二阱区域包括不同于第一类型掺杂剂的第二类型掺杂剂，并且阱区域阵列包括第二类型掺杂剂。该半导体器件还包括设置在阱区域阵列上并且在衬底内的金属硅化物层、设置在金属硅化物层上并且在衬底内的金属硅化物氮化物层、以及设置在金属硅化物氮化物层上的接触件结构。
基本信息
专利标题 ：
二极管的表面损坏控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520258A
申请号 ：
CN202210041511.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴亭莹陈永祥叶玉隆陈彦秀陈威良何盈苍
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
朱亦林
优先权 ：
CN202210041511.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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