一种拓扑绝缘体微压力探测装置
实质审查的生效
摘要

本发明涉及微压力探测技术领域,具体涉及一种拓扑绝缘体微压力探测装置,包括太赫兹源、太赫兹探测器、衬底、拓扑绝缘体层、凸起部、施压层,拓扑绝缘体层置于衬底上,凸起部设置在拓扑绝缘体层的表面,施压层设置在凸起部上,太赫兹源发射的太赫兹波穿过施压部,照射拓扑绝缘体层,太赫兹探测器探测拓扑绝缘体层反射的太赫兹波,通过反射太赫兹波的变化实现微压力探测。由于太赫兹波具有较高的穿透能力,本发明将感知装置和太赫兹源、太赫兹探测器分离,能够实现非接触式的微压力探测。另外,由于拓扑绝缘体层的表面态严重地依赖于表面的应力,所以本发明还具有压力探测灵敏度高的优点,在微压力探测领域具有良好的应用前景。

基本信息
专利标题 :
一种拓扑绝缘体微压力探测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114486022A
申请号 :
CN202210041884.X
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邵雅斌陈晨贾炀吴桐刘佳于海龙冯恒利张扬
申请人 :
浙江树人学院(浙江树人大学)
申请人地址 :
浙江省绍兴市柯桥区杨汛桥街道江夏路2016号
代理机构 :
重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
许攀
优先权 :
CN202210041884.X
主分类号 :
G01L1/25
IPC分类号 :
G01L1/25  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/25
利用波或粒子辐射,例如,X射线、中子
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 1/25
申请日 : 20220114
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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