一种拓扑绝缘体纳米线磁场探测器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及磁场探测技术领域,具体涉及一种拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,包括衬底、拓扑绝缘体纳米线、第一电极、第二电极、磁致伸缩块,拓扑绝缘体纳米线、第一电极、第二电极置于衬底上,第一电极和第二电极分别固定在拓扑绝缘体纳米线的两端,第一电极和第二电极也固定在衬底上,磁致伸缩块设置在所述拓扑绝缘体纳米线上。应用时,将本磁场探测器置于待测环境中,同时应用光照射拓扑绝缘体纳米线,第一电极和第二电极间连接检流计和电源,通过测量拓扑绝缘体纳米线导电特性的变化实现磁场探测。在本发明中具有成本低、尺寸小、易于和其他器件集成等优点,在磁场探测领域具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 :
一种拓扑绝缘体纳米线磁场探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114280511A
申请号 :
CN202111595777.3
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
邵雅斌陈晨何青吴桐王冠刘佳左世一
申请人 :
浙江树人学院(浙江树人大学)
申请人地址 :
浙江省绍兴市柯桥区杨汛桥街道江夏路2016号
代理机构 :
重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
许攀
优先权 :
CN202111595777.3
主分类号 :
G01R33/032
IPC分类号 :
G01R33/032
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备,例如法拉第的
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/032
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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