一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器
实质审查的生效
摘要
本发明涉及手性分子探测技术领域，具体涉及一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器，包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极，栅极置于绝缘层的底部，拓扑绝缘体层置于绝缘层上，源极和漏极置于拓扑绝缘体层上；应用时，手性分子置于拓扑绝缘体层上源极和漏极之间，同时应用圆偏振光照射手性分子。不同圆偏振光照射时，手性分子与拓扑绝缘体层之间的异质结不同，从而改变了拓扑绝缘体层的导电特性，通过拓扑绝缘体层导电特性的变化实现手性分子手性探测。本发明，不需要应用光谱仪等设备，成本低，在手性分子探测方面具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114486751A
申请号 ：
CN202210127459.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵雅斌陈晨邵文成贾炀吴桐冯恒利刘佳于海龙
申请人 ：
浙江树人学院（浙江树人大学）
申请人地址 ：
浙江省绍兴市柯桥区杨汛桥街道江夏路2016号
代理机构 ：
重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
许攀
优先权 ：
CN202210127459.2
主分类号 ：
G01N21/21
IPC分类号 ：
G01N21/21
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/21
影响偏振的性质
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/21
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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