基于有限表面带隙拓扑绝缘体的材料界面光束IF位移系统
授权
摘要
本发明公开了基于能流法计算反射光束在有限表面带隙的拓扑绝缘体上Imbert‑Fedorov位移的方法，该方法包括如下步骤：第一步：建立普通各向同性介质和各向同性有限带隙拓扑绝缘体的单界面模型；第二步：确定边界和初始条件；第三步：求取普通介质和手征介质的单界面上的透射系数和反射系数；第四步：使用修正的能流法求取各个方向上的能流；第五步：求取Imbert‑Fedorov(IF)位移。本发明能准确地分析普通介质和有限带隙拓扑绝缘体的单界面模型的横向位移特性，本发明有限表面带隙的拓扑绝缘体比较接近于实际的拓扑绝缘体材料的理论模型，作为测试模型比较有应用价值；同时为调控IF位移提供了新途径，为测量拓扑磁电极化性质提供了一种光学方法。
基本信息
专利标题 ：
基于有限表面带隙拓扑绝缘体的材料界面光束IF位移系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108614911A
申请号 ：
CN201810195567.7
公开（公告）日 ：
2018-10-02
申请日 ：
2018-03-09
授权号 ：
CN108614911B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
曾然唐龙王驰侯金鑫胡淼李齐良
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
杭州千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
周希良
优先权 ：
CN201810195567.7
主分类号 ：
G06F17/50
IPC分类号 ：
G06F17/50
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2018-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 17/50
申请日 : 20180309
申请日 : 20180309
2018-10-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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