一种ZnO纳米线栅极HEMT紫外光探测器
公开
摘要
一种ZnO纳米线栅极HEMT紫外光探测器涉及紫外光探测技术领域。本发明采用传统型高电子迁移率晶体管(HEMT)与纳米型结构半导体材料ZnO结合制备对紫外光敏感的光电探测器件。选取p‑GaN层覆盖的耗尽型AlGaN/GaN外延片，同时对源漏电极区域进行整体下刻蚀，使得器件在未人为外加电压时处于关断状态。在器件栅电极上，以正面朝下反向水热生长的方式得到尽量朝外生长的ZnO纳米线结构，注意控制调整水热生长时间及温度以得到生长形貌较好、排列均匀的纳米线，纳米线生长状态将直接影响其对紫外光的感应能力。
基本信息
专利标题 ：
一种ZnO纳米线栅极HEMT紫外光探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597282A
申请号 ：
CN202210183042.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱彦旭谭张杨李建伟李晋恒宋潇萌
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘萍
优先权 ：
CN202210183042.8
主分类号 ：
H01L31/112
IPC分类号 ：
H01L31/112 H01L31/0224 H01L31/0304 H01L31/18
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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