一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱、制备方法及应用
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱、制备方法及应用,以石墨烯阵列为基底,在催化剂的作用下,通过化学气相沉积,在石墨烯阵列表面原位生长出碳纳米洋葱,使得碳纳米洋葱颗粒均匀生长在石墨烯阵列表面,具有良好的分布均匀性、结晶度以及稳定性。碳纳米洋葱与石墨烯阵列的组合,综合了两者功能上的优点,石墨烯阵列提供了大的比表面积、良好的导电导热基底以及分散性,碳纳米洋葱的原位生长进一步增强了石墨烯阵列的功能性,提供了电磁属性和自旋电子属性,使其可以在真空微电子、电磁屏蔽、催化、电化学储能等方面具有广阔的应用价值。

基本信息
专利标题 :
一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱、制备方法及应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114348993A
申请号 :
CN202210042298.7
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李新禄郑永汉夏斓
申请人 :
重庆锦添翼新能源科技有限公司;惠州市金龙羽电缆实业发展有限公司
申请人地址 :
重庆市九龙坡区高新区金凤镇凤笙路21号1幢
代理机构 :
重庆青飞知识产权代理有限公司
代理人 :
张琴
优先权 :
CN202210042298.7
主分类号 :
C01B32/18
IPC分类号 :
C01B32/18  C01B32/194  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B32/00
碳;其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/18
纳米洋葱;纳米卷;纳米角;纳米锥;纳米墙
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/18
申请日 : 20220114
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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