一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法。其中,太赫兹波导器件的输出窗口,所述输出窗口设置于太赫兹波导器件的基管中,其包括由内至外设置的第一介质组件、中间介质层、第二介质组件,通过第一介质组件、中间介质层、第二介质组件使基管与大气隔离。本发明采用激光切割及研磨制作中间介质层和石英层、采用热拉伸法或注塑法制作塑料层,从而形成三层或以上的介质层与单层介质结构的输出窗口相比,太赫兹真空电子器件可获得更低的太赫兹波反射率,而且更低反射率所对应的频带宽度也更宽,适用于工作频率更高的真空电子器件。
基本信息
专利标题 :
一种太赫兹真空电子器件输出窗口及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420521A
申请号 :
CN202210043095.X
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李健
申请人 :
深圳奥镨科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区坪山街道金牛西路16号华瀚科技工业园2号厂房一楼
代理机构 :
广东良马律师事务所
代理人 :
李良
优先权 :
CN202210043095.X
主分类号 :
H01J23/12
IPC分类号 :
H01J23/12 H01J9/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J23/00
H01J25/00组中各种渡越时间型电子管的零部件
H01J23/12
管壳;容器
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 23/12
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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