一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法，包括提供光源的至少一个LED、一个忆阻器本体，及填充于LED与忆阻器本体间的绝缘层；所述LED与忆阻器本体垂直集成，且相邻的LED两两对准、忆阻器本体与相邻的LED对准。LED结构包括衬底、缓冲层、N型层、发光层、P型层、N电极和P电极；忆阻器本体结构包括底电极层、介质层、顶电极层。LED制备方法为依次在衬底上生长缓冲层、N型层、发光层、P型层、N电极和P电极，然后进行填充、抛光，最后依次生长忆阻器的底电极层、介质层和顶电极层。本发明的自带光源的光电忆阻器，将自带光源LED和忆阻器无缝集成在一个器件上，利用LED发光实现忆阻器电导的调控。本发明的方法将有利于光电忆阻器后续的大规模集成。
基本信息
专利标题 ：
一种自带光源的光电忆阻器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512599A
申请号 ：
CN202210052052.8
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
诸葛飞郭真真胡令祥伏兵
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
代理机构 ：
杭州宇信联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁群兰
优先权 ：
CN202210052052.8
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L33/38 H01L33/00 H01L25/16
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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