提高磁性光子晶体反射光强度的方法及应用

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摘要

本发明涉及光学材料处理技术领域，具体涉及一种提高磁性光子晶体反射光强度的方法及其应用，将可组装为所述磁性光子晶体的单分散基元粒子采用过氧化氢进行处理，所述磁性光子晶体的单分散基元粒子包括磁性内核和包裹在所述磁性内核外的外壳，所述外壳为可渗透过氧化氢的壳层。本发明的方法通过过氧化氢处理基元粒子后，基元粒子的本征色由深色向浅色转变，且其组装的磁性光子晶体的反射率具有增强作用。本发明的方法简便，易于控制，且生成产物无毒无害，对环境友好。通过本发明的方法处理后的磁性光子晶体可应用于防伪领域，显示领域，传感领域以及光学器件增强领域等。

基本信息

专利标题：

提高磁性光子晶体反射光强度的方法及应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114089446A

申请号：

CN202210070379.8

公开（公告）日：

2022-02-25

申请日：

2022-01-21

授权号：

CN114089446B

授权日：

2022-04-15

发明人：

官建国蒲宇洋罗巍马会茹

申请人：

武汉理工大学

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

石超群

优先权：

CN202210070379.8

主分类号：

G02B1/00

IPC分类号：

G02B1/00